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IPB160N08S403ATMA1

更新时间： 2024-01-17 08:34:42

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	203K
描述
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263,

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IPB160N08S403ATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.83
雪崩能效等级（Eas）：	350 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	160 A	最大漏源导通电阻：	0.0032 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263
JESD-30 代码：	R-PSSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	640 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB160N08S403ATMA1 数据手册

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IPB160N08S4-03

OptiMOS^™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

3.2

160

R _DS(on),max

I _D

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO263-7-3

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPB160N08S4-03

PG-TO263-7-3

4N0803

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25°C, V _GS=10V

160

T _C=100°C, V _GS=10V²⁾

120

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25°C

640

350

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=80A

I _AS

120

V _GS

±20

P _tot

T _C=25°C

Power dissipation

208

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.0

page 1

2014-06-20

12 3 4 5 6 7...9

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