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IPB140N08S4-04

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

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英飞凌 - INFINEON		/
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IPB140N08S4-04 数据手册

IPB140N08S4-04

OptiMOS^™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

4.2

140

R _DS(on),max

I _D

Features

• N-channel - Enhancement mode

PG-TO263-7-3

• AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

4N0804

IPB140N08S4-04

PG-TO263-7-3

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

I _D

T _C=25°C, V _GS=10V

Continuous drain current

140

T _C=100°C, V _GS=10V²⁾

100

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25°C

560

212

Avalanche energy, single pulse¹⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=70A

I _AS

V _GS

±20

P _tot

T _C=25°C

Power dissipation

161

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.0

page 1

2014-06-20

12 3 4 5 6 7...9

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