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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 14 weeks | 风险等级： | 2.35 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 160 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 640 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB160N08S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB160N08S403ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB16CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPB16CN10NGXT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IPB16CNE8NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPB17N25S3-100 | INFINEON |
获取价格 |
N-channel - Enhancement mode |
|
| IPB17N25S3-100_15 | INFINEON |
获取价格 |
N-channel - Enhancement mode |
|
| IPB180N03S4L-01 | INFINEON |
获取价格 |
T Power-Transistor |
|
| IPB180N03S4L-01 | ROCHESTER |
获取价格 |
180A, 30V, 0.00105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7 |
|
| IPB180N03S4L01ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 30V, 0.00105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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