是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | TO-263 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.73 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas): | 898 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 160 A | 最大漏极电流 (ID): | 160 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0021 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G6 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 214 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 640 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NP160N04TUJ-E1-AY | RENESAS |
功能相似 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB160N04S4-H1 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB160N04S4H1ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB160N04S4L-H1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB160N04S4LH1ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB160N08S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB160N08S403ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB16CN10NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB16CN10NGXT | INFINEON |
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暂无描述 | |
IPB16CNE8NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB17N25S3-100 | INFINEON |
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N-channel - Enhancement mode |