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IPB147N03LG

更新时间： 2024-02-09 18:27:56
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英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 442K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS

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IPB147N03LG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.0217 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：31 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB147N03LG 数据手册

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IPP147N03L G  
IPB147N03L G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS  
30  
14.7  
20  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPP147N03L G  
IPB147N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO220-3-1  
147N03L  
PG-TO263-3  
147N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
20  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
20  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
20  
20  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
T C=25 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
140  
20  
Avalanche current, single pulse3)  
E AS  
I D=10 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
20  
mJ  
I D=20 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 2.0  
page 1  
2010-04-27  
1234567...10

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IPB147N03LG 替代型号

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