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IPB160N04S203ATMA4

更新时间： 2024-01-11 14:27:10
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 147K
描述
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7/6

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IPB160N04S203ATMA4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：1.73
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：810 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：160 A
最大漏源导通电阻：0.0029 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263JESD-30 代码：R-PSSO-G6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：640 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB160N04S203ATMA4 数据手册

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IPB160N04S2-03  
OptiMOS® - T Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
40  
2.9  
160  
V
• N-channel - Enhancement mode  
• Automotive AEC Q101 qualified  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
PG-TO263-7-3  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
SP0002-18151 P2N0403  
IPB160N04S2-03  
PG-TO263-7-3  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
160  
160  
A
T C=100 °C2)  
T C=25 °C  
I D=80A  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
640  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
810  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-03-02  
12345678

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IPB160N04S203ATMA4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB160N04S203ATMA1 INFINEON

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