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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1060 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0021 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB80N06S4-07 | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB60R380C6 | INFINEON |
类似代替 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPB120N06S4-02 | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB120N06S4H1ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB120N06S4H1ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB120N08S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
仿真/ SPICE-型号 |
|
| IPB120N08S4-04 | INFINEON |
获取价格 |
本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用；并列出了当前可用的产品系列， |
|
| IPB120N08S404ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB120N10S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
仿真/SPICE 型号 |
|
| IPB120N10S403ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IPB120N10S4-05 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
|
| IPB120N10S405ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB120P04P4-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
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