是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.69 |
其他特性: | HIGH VOLTAGE | 雪崩能效等级(Eas): | 210 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 10.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.38 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 83 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPB45N06S4L-08 | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N06S4-H1 | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N06S4-02 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB60R380C6ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB60R380P6 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet | |
IPB60R380P6_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet | |
IPB60R385CP | INFINEON |
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CoolMOSTM Power Transistor | |
IPB60R385CPATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IPB60R520CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor | |
IPB60R600C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | |
IPB60R600C6ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IPB60R600CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor | |
IPB60R950C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |