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IPB65R110CFD7

更新时间： 2024-11-10 11:14:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电站栅服务器电信栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1274K
描述
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R110CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R110CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。

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IPB65R110CFD7 数据手册

IPB65R110CFD7

MOSFET

D²PAK

650VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

Theꢀlatestꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀextendsꢀtheꢀvoltageꢀclassꢀofferingꢀof

theꢀCFD7ꢀfamilyꢀandꢀisꢀaꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD2.

Resultingꢀfromꢀimprovedꢀswitchingꢀperformanceꢀandꢀexcellentꢀthermal

behavior,ꢀ650ꢀVꢀCooMOS™ꢀCFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonant

switchingꢀtopologies,ꢀsuchꢀasꢀLLCꢀandꢀphase-shift-full-bridgeꢀ(ZVS).ꢀAs

partꢀofꢀInfineon’sꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblends

allꢀadvantagesꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhard

commutationꢀrobustness.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeets

highestꢀefficiencyꢀandꢀreliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhigh

powerꢀdensityꢀsolutions.

tab

Features

Drain

Pin 2, Tab

•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode

•ꢀ650Vꢀbreakꢀdownꢀvoltage

•ꢀBest-in-classꢀR_DS(on)

Gate

Pin 1

•ꢀReducedꢀswitchingꢀlosses

•ꢀLowꢀR_DS(on)ꢀdependencyꢀoverꢀtemperature

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

Benefits

•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀExtraꢀsafetyꢀmarginꢀforꢀdesignsꢀwithꢀincreasedꢀbusꢀvoltage

•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions

•ꢀOutstandingꢀlightꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications

•ꢀImprovedꢀfullꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications

•ꢀPriceꢀcompetitivenessꢀoverꢀpreviousꢀCoolMOS™ꢀfamilies

Potentialꢀapplications

SuitableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies

Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,

Telecom,ꢀEVꢀCharging,ꢀSolar

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

700

110

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

5.8

µJ

1300

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB65R110CFD7

PG-TO263-3

65R110F7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-10-21

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPB65R115CFD7A	INFINEON	获取价格	D2PAK 3 引脚封装中的 115mOhm IPB65R115CFD7A 是汽车级认证
IPB65R125C7	INFINEON	获取价格	英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范
IPB65R125CFD7	INFINEON	获取价格	英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPB65R125CFD
IPB65R145CFD7A	INFINEON	获取价格	D2PAK 3 引脚封装中的 145 mOhm IPB65R145CFD7A 是汽车级认证
IPB65R150CFD	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7
IPB65R150CFDA	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先
IPB65R150CFDAATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB65R150CFDATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB65R155CFD7	INFINEON	获取价格	英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R155CFD

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