型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB65R099C6ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide | |
IPB65R099CFD7A | INFINEON |
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D2PAK 3 引脚封装中的 99mOhm IPB65R099CFD7A是汽车级认证 65 | |
IPB65R110CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 | |
IPB65R110CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R110CFD | |
IPB65R110CFDA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB65R115CFD7A | INFINEON |
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D2PAK 3 引脚封装中的 115mOhm IPB65R115CFD7A 是汽车级认证 | |
IPB65R125C7 | INFINEON |
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英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范 | |
IPB65R125CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPB65R125CFD | |
IPB65R145CFD7A | INFINEON |
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D2PAK 3 引脚封装中的 145 mOhm IPB65R145CFD7A 是汽车级认证 | |
IPB65R150CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 |