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IPB60R380C6ATMA1

更新时间: 2024-11-05 15:42:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 高压开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
19页 1415K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

IPB60R380C6ATMA1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantFactory Lead Time:18 weeks
风险等级:8.46Is Samacsys:N
其他特性:HIGH VOLTAGE雪崩能效等级(Eas):210 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (ID):10.6 A
最大漏源导通电阻:0.38 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB60R380C6ATMA1 数据手册

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MOSFET  
MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀC6ꢀ600V  
600VꢀCoolMOS™ꢀC6ꢀPowerꢀTransistor  
IPx60R380C6  
DataꢀSheet  
Rev.ꢀ2.2  
Final  
PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket  

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