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IPB60R385CPATMA1

更新时间： 2024-09-16 14:42:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	590K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB60R385CPATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.59	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	227 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.385 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB60R385CPATMA1 数据手册

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPB60R600C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPB60R600C6ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPB60R600CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPB60R950C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPB60R950C6ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB64N25S3-20	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 250V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPB65R041CFD7	INFINEON	获取价格	英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R041CFD
IPB65R045C7	INFINEON	获取价格	650V CoolMOSâ¢ C7 Power Transistor
IPB65R045C7ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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