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IPB60R600C6ATMA1

更新时间: 2024-11-05 21:09:15
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
18页 1265K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

IPB60R600C6ATMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:D2PAK
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:7.91
雪崩能效等级(Eas):133 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):7.3 A最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):19 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB60R600C6ATMA1 数据手册

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MOSFET  
MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀC6ꢀ600V  
600VꢀCoolMOS™ꢀC6ꢀPowerꢀTransistor  
IPx60R600C6  
DataꢀSheet  
Rev.ꢀ2.2  
Final  
PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket  

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