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IPB65R041CFD7

更新时间: 2024-11-10 11:15:47
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英飞凌 - INFINEON 电站服务器电信栅极
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14页 1293K
描述
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R041CFD7 采用 D2PAK 封装,尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品,该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品,IPB65R041CFD7 的栅极电荷更低,关断行为得以改善,反向恢复电荷较低,从而可显著提高效率与功率密度,且击穿电压可额外提高 50V。

IPB65R041CFD7 数据手册

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IPB65R041CFD7  
MOSFET  
D²PAK  
650VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice  
Theꢀlatestꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀextendsꢀtheꢀvoltageꢀclassꢀofferingꢀof  
theꢀCFD7ꢀfamilyꢀandꢀisꢀaꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD2.  
Resultingꢀfromꢀimprovedꢀswitchingꢀperformanceꢀandꢀexcellentꢀthermal  
behavior,ꢀ650ꢀVꢀCooMOS™ꢀCFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonant  
switchingꢀtopologies,ꢀsuchꢀasꢀLLCꢀandꢀphase-shift-full-bridgeꢀ(ZVS).ꢀAs  
partꢀofꢀInfineon’sꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblends  
allꢀadvantagesꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhard  
commutationꢀrobustness.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeets  
highestꢀefficiencyꢀandꢀreliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhigh  
powerꢀdensityꢀsolutions.  
tab  
2
1
3
Features  
Drain  
Pin 2, Tab  
•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode  
•ꢀ650Vꢀbreakꢀdownꢀvoltage  
•ꢀBest-in-classꢀRDS(on)  
•ꢀReducedꢀswitchingꢀlosses  
•ꢀLowꢀRDS(on)ꢀdependencyꢀoverꢀtemperature  
*1  
Gate  
Pin 1  
Source  
Pin 3  
*1: Internal body diode  
Benefits  
•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀExtraꢀsafetyꢀmarginꢀforꢀdesignsꢀwithꢀincreasedꢀbusꢀvoltage  
•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions  
•ꢀOutstandingꢀlightꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications  
•ꢀImprovedꢀfullꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications  
•ꢀPriceꢀcompetitivenessꢀoverꢀpreviousꢀCoolMOS™ꢀfamilies  
Potentialꢀapplications  
SuitableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies  
Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,  
Telecom,ꢀEVꢀCharging,ꢀSolar  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
Unit  
700  
V
41  
m  
nC  
A
Qg,typ  
102  
ID,pulse  
211  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
14.0  
1300  
µJ  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPB65R041CFD7  
PG-TO263-3  
65R041F7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-10-19  

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