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英飞凌 - INFINEON | 电站栅服务器电信栅极 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
14页 | 1293K | |
描述 | ||
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R041CFD7 采用 D2PAK 封装,尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品,该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品,IPB65R041CFD7 的栅极电荷更低,关断行为得以改善,反向恢复电荷较低,从而可显著提高效率与功率密度,且击穿电压可额外提高 50V。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB65R045C7 | INFINEON |
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650V CoolMOS⢠C7 Power Transistor | |
IPB65R045C7ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB65R050CFD7A | INFINEON |
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D2PAK 3 引脚封装中的 50mOhm IPB65R050CFD7A 是汽车级认证 6 | |
IPB65R065C7 | INFINEON |
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英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范 | |
IPB65R075CFD7A | INFINEON |
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D2PAK 3 引脚封装中的 50mOhm IPB65R050CFD7A 是汽车级认证 6 | |
IPB65R090CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R090CFD | |
IPB65R095C7 | INFINEON |
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英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范 | |
IPB65R099C6ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide | |
IPB65R099CFD7A | INFINEON |
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D2PAK 3 引脚封装中的 99mOhm IPB65R099CFD7A是汽车级认证 65 | |
IPB65R110CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 |