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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | TO-263, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.51 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 133 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 63 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 19 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP60R600C6 | INFINEON |
完全替代  |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB60R600C6ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPB60R600CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOS Power Transistor |
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| IPB60R950C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
|
| IPB60R950C6ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB64N25S3-20 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 250V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPB65R041CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R041CFD |
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| IPB65R045C7 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS⢠C7 Power Transistor |
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| IPB65R045C7ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB65R050CFD7A | INFINEON |
获取价格 |
D2PAK 3 引脚封装中的 50mOhm IPB65R050CFD7A 是汽车级认证 6 |
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| IPB65R065C7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范 |
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