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IPB60R600C6

更新时间: 2024-09-16 05:39:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体半导体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
18页 1906K
描述
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

IPB60R600C6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:D2PAK
包装说明:TO-263, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliant风险等级:8.51
雪崩能效等级(Eas):133 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):7.3 A最大漏极电流 (ID):7.3 A
最大漏源导通电阻:0.6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):63 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):19 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB60R600C6 数据手册

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MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS C6  
600V CoolMOS™ C6 Power Transistor  
IPx60R600C6  
Data Sheet  
Rev. 2.0, 2009-08-27  
Final  
Industrial & Multimarket  

IPB60R600C6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPP60R600C6 INFINEON

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