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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 14 weeks |
| 风险等级： | 5.74 | 雪崩能效等级（Eas）： | 310 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0041 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB120N10S4-03 | INFINEON |
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仿真/SPICE 型号 |
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| IPB120N10S403ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPB120N10S4-05 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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| IPB120N10S405ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB120P04P4-04 | INFINEON |
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OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
| IPB120P04P404ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| IPB120P04P4L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
| IPB120P04P4L03ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| IPB120P04P4L03ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPB123N10N3 G | INFINEON |
获取价格 |
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