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IPB120P04P4L03ATMA1

更新时间： 2024-11-18 20:38:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 251K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB120P04P4L03ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：7.82其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：78 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0052 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB120P04P4L03ATMA1 数据手册

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IPB120P04P4L-03  
IPI120P04P4L-03, IPP120P04P4L-03  
OptiMOS®-P2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
-40  
3.1  
V
RDS(on) (SMD Version)  
mW  
A
ID  
-120  
Features  
• P-channel - Logic Level - Enhancement mode  
• AEC qualified  
PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPB120P04P4L-03  
IPI120P04P4L-03  
IPP120P04P4L-03  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
4PP04L03  
4PP04L03  
4PP04L03  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C,  
V GS=-10V  
Continuous drain current1)  
I D  
-120  
A
T C=100°C,  
V GS=-10V2)  
-114  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
I AS  
T C=25°C  
-480  
78  
I D=-60A  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
-
-120  
±163)  
136  
V GS  
P tot  
-
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.1  
page 1  
2015-05-27  
1234567...9

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与IPB120P04P4L03ATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB120P04P4L03ATMA2 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IPB123N10N3 G INFINEON

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 		英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPB123N10N3G INFINEON

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