5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPB120N06S4H1ATMA2
IPB120N06S4H1ATMA2 PDF预览

IPB120N06S4H1ATMA2

更新时间： 2024-10-01 19:50:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 171K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3/2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPB120N06S4H1ATMA2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：1.74
其他特性：GREEN雪崩能效等级（Eas）：1060 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.0021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB120N06S4H1ATMA2 数据手册

 浏览型号IPB120N06S4H1ATMA2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB120N06S4H1ATMA2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB120N06S4H1ATMA2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB120N06S4H1ATMA2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB120N06S4H1ATMA2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB120N06S4H1ATMA2的Datasheet PDF文件第7页 
IPB120N06S4-H1  
IPI120N06S4-H1, IPP120N06S4-H1  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
60  
2.1  
120  
V
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
I D  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPB120N06S4-H1  
IPI120N06S4-H1  
IPP120N06S4-H1  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
4N06H1  
4N06H1  
4N06H1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
120  
120  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25°C  
480  
1060  
120  
±20  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=60A  
mJ  
A
I AS  
-
VGS  
-
V
Ptot  
T C=25°C  
Power dissipation  
250  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2009-03-23  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

IPB120N06S4H1ATMA2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB120N06S4H1ATMA1 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IPB120N06S4H1ATMA2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB120N08S4-03 INFINEON

获取价格

 		  仿真/ SPICE-型号
IPB120N08S4-04 INFINEON

获取价格

 		本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用；并列出了当前可用的产品系列，
IPB120N08S404ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB120N10S4-03 INFINEON

获取价格

 		  仿真/SPICE 型号
IPB120N10S403ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IPB120N10S4-05 INFINEON

获取价格

 		车规级MOSFET
IPB120N10S405ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB120P04P4-04 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPB120P04P404ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
IPB120P04P4L-03 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-P2 Power-Transistor

与IPB120N06S4H1ATMA2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证