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IPB80N06S4L-07

更新时间: 2024-01-21 05:19:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 171K
描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPB80N06S4L-07 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.57Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):71 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0064 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB80N06S4L-07 数据手册

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IPB80N06S4L-07  
IPI80N06S4L-07, IPP80N06S4L-07  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
60  
6.4  
80  
V
R
DS(on),max (SMD version)  
m  
A
I D  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPB80N06S4L-07  
IPI80N06S4L-07  
IPP80N06S4L-07  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
4N06L07  
4N06L07  
4N06L07  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
80  
58  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25°C  
320  
71  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=40A  
mJ  
A
I AS  
-
80  
VGS  
-
±16  
79  
V
Ptot  
T C=25°C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2009-03-24  

IPB80N06S4L-07 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB80N06S4-05 INFINEON

类似代替

OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB120N06S4-02 INFINEON

类似代替

OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB60R380C6 INFINEON

功能相似

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

与IPB80N06S4L-07相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB80N06S4L07ATMA2 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB80N08S2-07 INFINEON

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OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB80N08S2L-07 INFINEON

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OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB80N08S2L07ATMA1 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor,
IPB80P03P3L-04 INFINEON

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OptiMOS-P Power-Transistor
IPB80P03P4-05 INFINEON

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OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPB80P03P405ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPB80P03P405ATMA2 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IPB80P03P4L-04 INFINEON

获取价格

OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPB80P03P4L04ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met