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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 5.64 | 雪崩能效等级（Eas）： | 31 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0077 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB80P04P4L-04 | INFINEON |
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OptiMOS-P2 Power-Transistor |
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| IPB80P04P4L04ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0071ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80P04P4L-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
| IPB80P04P4L06ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80P04P4L06ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPB80P04P4L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
|
| IPB80R290C3A | INFINEON |
获取价格 |
The CoolMOS™ C3A technology was designed to m |
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| IPB90N04S4-02 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB90N04S402ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB90N04S402XT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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