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IPB90N06S4L04ATMA1

更新时间: 2024-11-21 14:42:51
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英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 171K
描述
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

IPB90N06S4L04ATMA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.7雪崩能效等级(Eas):331 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):90 A
最大漏源导通电阻:0.0034 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):360 A
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB90N06S4L04ATMA1 数据手册

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IPB90N06S4L-04  
IPI90N06S4L-04, IPP90N06S4L-04  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
60  
3.4  
90  
V
R
DS(on),max (SMD version)  
m  
A
I D  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPB90N06S4L-04  
IPI90N06S4L-04  
IPP90N06S4L-04  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
4N06L04  
4N06L04  
4N06L04  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
90  
90  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25°C  
360  
331  
90  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=45A  
mJ  
A
I AS  
-
VGS  
-
±16  
150  
V
Ptot  
T C=25°C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2009-03-24  

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