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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 5.71 | 雪崩能效等级（Eas）： | 331 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0037 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB90N06S4L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB90N06S4L04ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB90N06S4L04ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB90R340C3 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPB90R340C3ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IPB95R130PFD7 | INFINEON |
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The 950 V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET |
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| IPB95R310PFD7 | INFINEON |
获取价格 |
The 950 V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET |
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| IPB95R450PFD7 | INFINEON |
获取价格 |
The 950 V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET |
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| IPBD-02-D | SAMTEC |
获取价格 |
Power Connector, 4 Contact(s), Female, Crimp Terminal, Plug, ROHS COMPLIANT |
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| IPBD-02-D-R | SAMTEC |
获取价格 |
Power Connector |
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