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IPB80P04P405ATMA1

更新时间： 2024-11-18 19:57:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 212K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3/2 PIN

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IPB80P04P405ATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.84
雪崩能效等级（Eas）：64 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0049 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB80P04P405ATMA1 数据手册

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Final Data Sheet  
IPB80P04P4-05  
IPI80P04P4-05, IPP80P04P4-05  
OptiMOS®-P2 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
-40  
4.9  
-80  
V
R DS(on) (SMD Version)  
mW  
A
I D  
Features  
• P-channel - Normal Level - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
4P0405  
4P0405  
4P0405  
IPB80P04P4-05  
IPI80P04P4-05  
IPP80P04P4-05  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C,  
V GS=-10V  
Continuous drain current1)  
I D  
-80  
A
T C=100°C,  
V GS=-10V2)  
-80  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
I AS  
T C=25°C  
-320  
64  
I D=-40A  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
-
-80  
V GS  
P tot  
-
±20  
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
125  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2011-04-18  
1234567...9

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与IPB80P04P405ATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB80P04P4-07 INFINEON

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 		OptiMOS-P2 Power-Transistor
IPB80P04P407ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0077ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPB80P04P407ATMA2 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IPB80P04P407XT INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0077ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IPB80P04P4L-04 INFINEON

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