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IPB80N08S2L07ATMA1

更新时间： 2024-02-16 19:27:47

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPB80N08S2L07ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	1.62
Is Samacsys：	N	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IPB80N08S2L07ATMA1 数据手册

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IPB80N08S2L-07

IPP80N08S2L-07

OptiMOS^™Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

6.8

• N-channel Logic Level - Enhancement mode

R _DS(on),max(SMD version)

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB80N08S2L-07

IPP80N08S2L-07

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

SP0002-19051

SP0002-19050

2N08L07

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25 °C, V _GS=10 V¹⁾

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=100 °C,

V _GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

I _D=80A

320

810

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.1

page 1

2014-03-07

12 3 4 5 6 7...9

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