是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.62 | 雪崩能效等级(Eas): | 480 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 120 A | 最大漏极电流 (ID): | 120 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0018 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 158 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 480 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB120N04S4-04 | INFINEON |
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车规级MOSFET | |
IPB120N04S4L-02 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB120N04S4L02ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB120N06NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB120N06NG_10 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor | |
IPB120N06S4-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N06S402ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB120N06S4-03 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N06S4-H1 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N06S4H1ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |