型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB120N06S4-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N06S402ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB120N06S4-03 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N06S4-H1 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB120N06S4H1ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB120N06S4H1ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB120N08S4-03 | INFINEON |
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仿真/ SPICE-型号 | |
IPB120N08S4-04 | INFINEON |
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本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用;并列出了当前可用的产品系列, | |
IPB120N08S404ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB120N10S4-03 | INFINEON |
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仿真/SPICE 型号 |