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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 14 weeks |
| 风险等级： | 5.72 | 雪崩能效等级（Eas）： | 480 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0017 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB120N06NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB120N06NG_10 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPB120N06S4-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB120N06S402ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB120N06S4-03 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB120N06S4-H1 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB120N06S4H1ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB120N06S4H1ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB120N08S4-03 | INFINEON |
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仿真/ SPICE-型号 |
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| IPB120N08S4-04 | INFINEON |
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本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用；并列出了当前可用的产品系列， |
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