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IPB120N06NG

更新时间： 2024-11-20 03:44:19

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描述
OptiMOS㈢ Power-Transistor

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IPB120N06NG 数据手册

IPB120N06N G

IPP120N06N G

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

11.7

• For fast switching converters and sync. rectification

• N-channel enhancement - normal level

R _{DS(on),max SMDversion}

I _D

mΩ

• 175 °C operating temperature

• Avalanche rated

• Pb-free lead plating, RoHS compliant

IPP120N06N G

IPB120N06N G

Type

P-TO220-3-1

120N06N

P-TO263-3-2

120N06N

Package

Marking

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _C=25 °C¹⁾

I _D,pulse

E _AS

Pulsed drain current

300

280

I _D=75 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=75 A, V _DS=48 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V _GS

Gate source voltage

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

158

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾See figure 3

Rev. 1.11

page 1

2006-07-05

12 3 4 5 6 7...10

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