5秒后页面跳转
IPB10N03LB PDF预览

IPB10N03LB

更新时间: 2024-09-29 03:44:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 205K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

IPB10N03LB 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.87
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):57 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.0096 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):58 W最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB10N03LB 数据手册

 浏览型号IPB10N03LB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB10N03LB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB10N03LB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB10N03LB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB10N03LB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB10N03LB的Datasheet PDF文件第7页 
IPB10N03LB  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
9.6  
50  
V
• Ideal for high-frequency dc/dc converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• N-channel - Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
PG-TO263-3  
• Superior thermal resistance  
• 175 °C operating temperature  
• dv /dt rated  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
IPB10N03LB  
PG-TO263-3  
10N03LB  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
50  
41  
A
T C=100 °C  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
Pulsed drain current  
200  
57  
E AS  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=50 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage4)  
V GS  
±20  
58  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 0.92  
page 1  
2005-10-27  

IPB10N03LB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB065N03LG INFINEON

功能相似

OptiMOS?3 Power-Transistor

与IPB10N03LB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB110N06LG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB110N20N3LF INFINEON

获取价格

OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R
IPB110P06LM INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IPB114N03LG INFINEON

获取价格

OptiMOS3 Power-Transistor
IPB117N20NFD INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB117N20NFDATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB11N03LA INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB11N03LAG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB120N03S4L-03 INFINEON

获取价格

车规级MOSFET
IPB120N03S4L03ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me