5秒后页面跳转
IPB065N03LG PDF预览

IPB065N03LG

更新时间: 2024-11-05 11:08:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 347K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor

IPB065N03LG 数据手册

 浏览型号IPB065N03LG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB065N03LG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB065N03LG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB065N03LG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB065N03LG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB065N03LG的Datasheet PDF文件第7页 
IPP065N03L G  
IPB065N03L G  
OptiMOS3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
6.5  
50  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
IPP065N03L G  
IPB065N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO220-3-1  
065N03L  
PG-TO263-3  
065N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
50  
50  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
50  
42  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
350  
50  
Avalanche current, single pulse3)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
60  
mJ  
I D=50 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 2.0  
page 1  
2010-04-22  

IPB065N03LG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB10N03LB INFINEON

功能相似

OptiMOS㈢2 Power-Transistor

与IPB065N03LG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB065N06LG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB065N06LG_10 INFINEON

获取价格

OptiMOS™ Power-Transistor Features For fast
IPB065N06LGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB065N10N3G UMW

获取价格

种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):100V;持续漏极电流(Id)(在25°C
IPB065N15N3 G INFINEON

获取价格

与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F
IPB065N15N3G INFINEON

获取价格

OptiMOS3 Power-Transistor
IPB065N15N3-G INFINEON

获取价格

N-Channel, normal level
IPB065N15N3GATMA1 INFINEON

获取价格

N-Channel, normal level
IPB067N08N3 G INFINEON

获取价格

OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源
IPB067N08N3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me