型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPB10N03LB | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB065N06LG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB065N06LG_10 | INFINEON |
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OptiMOS⢠Power-Transistor Features For fast | |
IPB065N06LGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB065N10N3G | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):100V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
IPB065N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F | |
IPB065N15N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPB065N15N3-G | INFINEON |
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N-Channel, normal level | |
IPB065N15N3GATMA1 | INFINEON |
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N-Channel, normal level | |
IPB067N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
IPB067N08N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |