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IPB070N06LGATMA1

更新时间： 2024-11-06 19:49:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	736K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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IPB070N06LGATMA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	450 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.0067 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB070N06LGATMA1 数据手册

IPB070N06L G IPP070N06L G

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Product Summary

Features

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与IPB070N06LGATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB070N06NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB070N06NGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB070N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPB072N15N3 G	INFINEON	获取价格	与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F
IPB072N15N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPB072N15N3-G	INFINEON	获取价格	OptiMOS 3 Power-Transistor
IPB072N15N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB073N15N5	INFINEON	获取价格	英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等
IPB075N04LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB075N04LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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