5秒后页面跳转
IPB070N06LGATMA1 PDF预览

IPB070N06LGATMA1

更新时间: 2024-11-20 19:49:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 736K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

IPB070N06LGATMA1 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.72其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):450 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):80 A最大漏源导通电阻:0.0067 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB070N06LGATMA1 数据手册

 浏览型号IPB070N06LGATMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB070N06LGATMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB070N06LGATMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB070N06LGATMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB070N06LGATMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB070N06LGATMA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPB070N06L G IPP070N06L G  
"%&$!"#Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V 9H  
.(  
.&/  
0(  
J
P   ? A 61BC BF9C3 89>7 3 ? >E5AC5AB 1>4 BH>3  A53 C9693 1C9? >  
P ( ꢁ3 81>>5< 5>81>3 5=5>C  <? 793 <5E5<  
R  ,ꢕ? >ꢓꢇ=1G  
Y"  
6
,'  E5AB9? >  
I 9  
P    Sꢅ ? @5A1C9>7 C5=@5A1CDA5  
P  E1<1>3 85 A1C54  
P *2 ꢁ6A55 <514 @<1C9>7ꢇ + ? " , 3 ? =@<91>C  
P " 1<? 75>ꢁ6A55 13 3 ? A49>7 C? #ꢈ       ꢁꢊ ꢁꢊ   
Type  
#*ꢖ    (   & !  
#**ꢎ   (   & !  
Package
Marking
F=%IE*.+%+
(/(D(.B
F=%IE**(%+  
(/(D(.B
Maximum ratings, 1C T V   Sꢅ  D><5BB ? C85AF9B5 B@53 96954  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T 8   Sꢅ )#  
I 9  
 ? >C9>D? DB 4A19> 3 DAA5>C  
0(  
0(  
6
T 8    Sꢅ  
T 8   Sꢅ *#  
I 9$\`X^Q  
*D<B54 4A19> 3 DAA5>C  
+*(  
,-(  
E 6H  
I 9     R =H   "  
 E1<1>3 85 5>5A7Hꢇ B9>7<5 @D<B5  
Y@  
I 9     V 9H   .ꢇ  
Pi 'Pt      ꢐU Bꢇ  
+ 5E5AB5 49? 45 4v 'Pt  
Pv 'Pt  
.
WJ'q^  
T
V$YMc    Sꢅ  
V =H  
!1C5 B? DA3 5 E? <C175  
p*(  
*),  
J
P _[_  
T 8   Sꢅ  
*? F5A 49BB9@1C9? >  
K
Sꢅ  
T V T ^_S  
) @5A1C9>7 1>4 BC? A175 C5=@5A1CDA5  
#ꢈ  3 <9=1C93 3 1C57? AHꢑ  #( #ꢈ    ꢁꢂ  
ꢁꢄ  ꢀꢀꢀ     
  ꢐꢂ   ꢐꢄ   
)#  DAA5>C 9B <9=9C54 2 H 2 ? >4F9A5ꢑ F9C8 1> R _T@8  ꢀꢃ % ꢐ/ C85 3 89@ 9B 12 <5 C? 3 1AAH       
  ,55 697DA5   
+ 5Eꢀ  ꢀꢊ   
@175   
    ꢁꢎ  ꢁꢂ   

与IPB070N06LGATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB070N06NG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB070N06NGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB070N08N3G INFINEON

获取价格

OptiMOS3 Power-Transistor
IPB072N15N3 G INFINEON

获取价格

与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F
IPB072N15N3G INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPB072N15N3-G INFINEON

获取价格

OptiMOS 3 Power-Transistor
IPB072N15N3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 150V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPB073N15N5 INFINEON

获取价格

英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等
IPB075N04LG INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB075N04LGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me