5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPB075N04LGATMA1
IPB075N04LGATMA1 PDF预览

IPB075N04LGATMA1

更新时间： 2024-11-06 19:50:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 446K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPB075N04LGATMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB075N04LGATMA1 数据手册

 浏览型号IPB075N04LGATMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB075N04LGATMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB075N04LGATMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB075N04LGATMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB075N04LGATMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB075N04LGATMA1的Datasheet PDF文件第7页 
ꢀ% ꢁ ꢂ ꢃ ꢄ # ꢂ ꢅ ! ꢆ  
"%&$!"#bꢇ % <C2>ꢈ(>.;?6?@<>  
% ><1 A0@ 'A: : .>E  
7NJ\]ZN[  
)
,(  
/&-  
-(  
K
9I  
Q   2 CD CG:D49:? 8 ' ) -  ꢀ . 7@B -' *-  
Q ) AD:>:J65 D649? @=@8I 7@B ꢁ ꢂ ꢃꢁ ꢂ 4@? F6BD6BC  
Q + E2 =:7:65 2 44@B5:? 8 D@ $ ꢀ ꢁ ꢀ ꢂ )# 7@B D2 B86D 2 AA=:42 D:@? C  
'
Z"  
6
9I"\[#$ZNd  
$
9
Q ( ꢄ492 ? ? 6=ꢅ =@8:4 =6F6=  
Q ꢀ H46==6? D 82 D6 492 B86 H ' 9I"\[# AB@5E4D ꢆ  ) ' ꢇ  
F=%JE*.+%+  
Q /6BI =@G @? ꢄB6C:CD2 ? 46 ' 9I"\[#  
Q ꢈ ꢉ ꢉ ꢊ ꢋ F2 =2 ? 496 D6CD65  
Q *3 ꢄ7B66 A=2 D:? 8ꢌ , @" - 4@>A=:2 ? D  
Q " 2 =@86? ꢄ7B66 2 44@B5:? 8 D@ #ꢀ ꢂ ꢍ ꢈ ꢎ ꢏ ꢐ ꢄꢎ ꢄꢎ ꢈ  
DaYN  
AJLTJPN  
>JZTRWP  
#*ꢔ ꢉ ꢕ ꢒ ( ꢉ ꢏ & !  
F=%JE*.+%+  
(/-D(,B  
" .D6: A: >.@6;4?ꢉ 2 D ( Wꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ ꢅ E? =6CC @D96BG:C6 CA64:7:65  
FJU]N  
AJZJVN\NZ  
CaVKXU 4XWMR\RXW[  
EWR\  
$
)
)
=Iꢑ ꢈ ꢉ /ꢅ ( 8ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ  
ꢂ @? D:? E@EC 5B2 :? 4EBB6? D  
-(  
,.  
6
9
=Iꢑ ꢈ ꢉ /ꢅ ( 8ꢑ ꢈ ꢉ ꢉ Tꢂ  
)
)
=Iꢑ ꢏ ꢓꢒ /ꢅ ( 8ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ  
-(  
,(  
=Iꢑ ꢏ ꢓꢒ /ꢅ  
( 8ꢑ ꢈ ꢉ ꢉ Tꢂ  
( 8ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ  
( 8ꢑ ꢎ ꢒ Tꢂ  
*E=C65 5B2 :? 4EBB6? D*#  
$
$
+-(  
-(  
9$]aY_R  
6I  
ꢋ F2 =2 ? 496 4EBB6? Dꢅ C:? 8=6 AE=C6+#  
ꢋ F2 =2 ? 496 6? 6B8Iꢅ C:? 8=6 AE=C6  
!2 D6 C@EB46 F@=D2 86  
#
)
$ 9ꢑ ꢒ ꢉ ꢋ ꢅ ' =Iꢑ ꢎ ꢒ "  
*(  
Z@  
K
6I  
=I  
q*(  
)# $ ꢄ-.ꢁ ꢎ ꢉ 2 ? 5 $ ꢀ -ꢁ ꢎ ꢎ  
, 6Fꢓ ꢎ ꢓꢉ  
A2 86 ꢈ  
ꢎ ꢉ ꢈ ꢉ ꢄꢉ ꢏ ꢄꢎ ꢖ  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IPB075N04LGATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB07N03L INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Buck converter series
IPB080N03LG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS?3 Power-Transistor
IPB080N06NG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB080N06NG_10 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™ Power-Transistor Features Low gate c
IPB081N06L3 G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
IPB081N06L3G INFINEON

获取价格

 		OptiMosTM3 Power-Transistor
IPB083N10N3 G INFINEON

获取价格

 		英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
IPB083N10N3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPB083N15N5LF INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R
IPB085N06LG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢ Power-Transistor

与IPB075N04LGATMA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证