型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB081N06L3G | INFINEON |
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OptiMosTM3 Power-Transistor | |
IPB083N10N3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
IPB083N10N3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | |
IPB083N15N5LF | INFINEON |
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OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R | |
IPB085N06LG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB085N06LG_10 | INFINEON |
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OptiMOS™ Power-Transistor Features For fast s | |
IPB08CN10NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPB08CN10NG_10 | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor Features Excellent | |
IPB08CN10NGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB08CNE8NG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |