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IPB08CN10NGATMA1

更新时间: 2024-09-16 21:15:35
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
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11页 750K
描述
Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

IPB08CN10NGATMA1 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.76雪崩能效等级(Eas):262 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):95 A
最大漏源导通电阻:0.0082 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):380 A
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB08CN10NGATMA1 数据手册

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