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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPB08CN10NG
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IPB08CN10NG

更新时间： 2024-11-06 03:44:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 527K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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IPB08CN10NG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：262 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：95 A
最大漏极电流 (ID)：95 A最大漏源导通电阻：0.0082 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：167 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：380 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB08CN10NG 数据手册

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IPB08CN10N G  
IPI08CN10N G IPP08CN10N G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
8.2  
95  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max (TO263)  
I D  
mΩ  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
IPB08CN10N G  
IPI08CN10N G  
IPP08CN10N G  
Type  
PG-TO263-3  
08CN10N  
PG-TO262-3  
08CN10N  
PG-TO220-3  
08CN10N  
Package  
Marking  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
95  
68  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
380  
262  
I D=95 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=95 A, V DS=80 V,  
di /dt =100 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage3)  
V GS  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
167  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 1.02  
page 1  
2006-06-02  
1234567...11

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IPB08CN10NG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB083N10N3G INFINEON

功能相似

 OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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