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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2390 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.003 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB100N06S3L-04 | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB100N06S3-04 | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB100N06S3-03_07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB100N06S3-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB100N06S3L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| IPB100N06S3L-03_07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB100N06S3L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB100N08S2-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB100N08S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB100N10S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB100N10S305ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPB100N12S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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