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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 14 weeks |
| 风险等级： | 1.72 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1445 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 120 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0048 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB100P03P3L-04 | INFINEON |
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OptiMOS-P Trench Power-Transistor |
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| IPB107N20N3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
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| IPB107N20N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPB107N20N3G_10 | INFINEON |
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OptiMOS 3 Power-Transistor |
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| IPB107N20NA | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
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| IPB107N20NAATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB108N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPB108N15N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPB108N15N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB10N03L | INFINEON |
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OptiMOS Buck converter series |
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