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IPB107N20N3G

更新时间： 2024-11-20 05:39:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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IPB107N20N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	88 A	最大漏极电流 (ID)：	88 A
最大漏源导通电阻：	0.0107 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	352 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB107N20N3G 数据手册

IPB107N20N3 G IPP110N20N3 G

IPI110N20N3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

200

10.7

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO263)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Type

IPB107N20N3 G

IPP110N20N3 G

IPI110N20N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

107N20N

PG-TO220-3

110N20N

PG-TO262-3

110N20N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

352

I _D=80 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

560

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾See figure 3

Rev. 2.2

page 1

2009-10-21

12 3 4 5 6 7...11

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IPB107N20N3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB107N20NA	INFINEON	完全替代	英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPB107N20NA	INFINEON	获取价格	英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-
IPB107N20NAATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB108N15N3 G	INFINEON	获取价格	与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F
IPB108N15N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPB108N15N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB10N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS Buck converter series
IPB10N03LB	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB110N06LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB110N20N3LF	INFINEON	获取价格	OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R

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