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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.38 | 雪崩能效等级（Eas）： | 560 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 352 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB110P06LM | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPB114N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| IPB117N20NFD | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB117N20NFDATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB11N03LA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB11N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPB120N03S4L-03 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
|
| IPB120N03S4L03ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB120N04S3-02 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPB120N04S4-01 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
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