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IPB107N20NA

更新时间： 2023-06-19 14:26:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电机驱动开关脉冲晶体管转换器
页数	文件大小	规格书
10页	631K
描述
英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流-直流转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动逆变器中用于异步整流。

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IPB107N20NA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.64
雪崩能效等级（Eas）：	560 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	88 A	最大漏极电流 (ID)：	88 A
最大漏源导通电阻：	0.0107 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	352 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPB107N20NA 数据手册

IPB107N20NA IPP110N20NA

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

200

10.7

• N-channel, normal level

R_{DS(on),max (TO263)}

I_D

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to AEC Q101

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Type

IPB107N20NA

IPP110N20NA

Package

Marking

PG-TO263-3

107N20NA

PG-TO220-3

110N20NA

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

352

I _D=80 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

Reverse diode dv /dt

560

kV/µs

dv /dt

V _GS

Gate source voltage

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

°C

¹⁾See figure 3

Rev. 2.1

page 1

2011-05-11

12 3 4 5 6 7...10

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IPB107N20NA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB107N20N3G	INFINEON	完全替代	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

与IPB107N20NA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB107N20NAATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB108N15N3 G	INFINEON	获取价格	与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F
IPB108N15N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPB108N15N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB10N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS Buck converter series
IPB10N03LB	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB110N06LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB110N20N3LF	INFINEON	获取价格	OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R
IPB110P06LM	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPB114N03LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor

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