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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 1.64 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 560 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 88 A | 最大漏极电流 (ID)： | 88 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0107 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 352 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB107N20N3G | INFINEON |
完全替代  |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB107N20NAATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB108N15N3 G | INFINEON |
获取价格 |
与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
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| IPB108N15N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
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| IPB108N15N3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB10N03L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Buck converter series |
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| IPB10N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPB110N06LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB110N20N3LF | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R |
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| IPB110P06LM | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IPB114N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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