5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPB110N06LG
IPB110N06LG PDF预览

IPB110N06LG

更新时间： 2024-11-20 03:44:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 448K
描述
OptiMOS㈢ Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPB110N06LG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：78 A
最大漏极电流 (ID)：78 A最大漏源导通电阻：0.011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：158 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：312 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB110N06LG 数据手册

 浏览型号IPB110N06LG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB110N06LG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB110N06LG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB110N06LG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB110N06LG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB110N06LG的Datasheet PDF文件第7页 
IPB110N06L G IPP110N06L G  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
60  
11  
78  
V
• For fast switching converters and sync. rectification  
• N-channel enhancement - logic level  
R DS(on),max SMD version  
I D  
mΩ  
A
• 175 °C operating temperature  
• Avalanche rated  
• Pb-free lead plating, RoHS compliant  
IPB110N06L G  
IPP110N06L G  
Type  
Package  
PG-TO263-3-2
110N06L
PG-TO220-3-1  
110N06L
Marking  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C1)  
Continuous drain current  
78  
55  
A
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
312  
280  
I D=78 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=78 A, V DS=48 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
158  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1) See figure 3  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-05-04  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IPB110N06LG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPB085N06LG INFINEON

类似代替

 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB081N06L3G INFINEON

功能相似

 OptiMosTM3 Power-Transistor
IPB070N06LG INFINEON

功能相似

 OptiMOS㈢ Power-Transistor

与IPB110N06LG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB110N20N3LF INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R
IPB110P06LM INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IPB114N03LG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor
IPB117N20NFD INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB117N20NFDATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB11N03LA INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB11N03LAG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB120N03S4L-03 INFINEON

获取价格

 		车规级MOSFET
IPB120N03S4L03ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB120N04S3-02 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T Power-Transistor

与IPB110N06LG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证