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IPB110N06LG PDF预览

IPB110N06LG

更新时间： 2024-02-24 22:35:44
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 448K
描述
OptiMOS㈢ Power-Transistor

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IPB110N06LG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：280 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：78 A
最大漏极电流 (ID)：78 A最大漏源导通电阻：0.011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：158 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：312 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB110N06LG 数据手册

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IPB110N06L G IPP110N06L G  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
60  
11  
78  
V
• For fast switching converters and sync. rectification  
• N-channel enhancement - logic level  
R DS(on),max SMD version  
I D  
mΩ  
A
• 175 °C operating temperature  
• Avalanche rated  
• Pb-free lead plating, RoHS compliant  
IPB110N06L G  
IPP110N06L G  
Type  
Package  
PG-TO263-3-2
110N06L
PG-TO220-3-1  
110N06L
Marking  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C1)  
Continuous drain current  
78  
55  
A
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
312  
280  
I D=78 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=78 A, V DS=48 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
158  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1) See figure 3  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-05-04  
1234567...10

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