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IPB11N03LA

更新时间： 2024-11-20 21:17:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	309K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB11N03LA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	80 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.0112 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	52 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	210 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB11N03LA 数据手册

IPB11N03LA

IPI11N03LA, IPP11N03LA

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

Features

• Ideal for high-frequency dc/dc converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

_DS(on),max(SMD version)

11.2

mΩ

I _D

• N-channel

• Logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

P-TO263-3-2

P-TO262-3-1

P-TO220-3-1

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Superior thermal resistance

• 175 °C operating temperature

• dv /dt rated

Type

Package

Ordering Code

Q67042-4237

Q67042-4240

Q67042-4241

Marking

11N03LA

IPB11N03LA

IPI11N03LA

IPP11N03LA

P-TO263-3-2

P-TO262-3-1

P-TO220-3-1

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _C=25 °C³⁾

I _D,pulse

Pulsed drain current

210

E _AS

I _D=30 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=30 A, V _DS=20 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 1.1

page 1

2004-05-10

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPB120N03S4L03ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB120N04S3-02	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPB120N04S4-01	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
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