Datasheet > IPB110P06LM

IPB110P06LM

更新时间： 2024-02-03 00:59:57

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	933K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB110P06LM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IPB110P06LM 数据手册

IPB110P06LM

MOSFET

OptiMOS^TMꢀPowerꢀTransistor,ꢀ-60ꢀV

D²PAK

Features

tab

•ꢀP-Channel

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)ꢀ@ꢀV_GS=4.5ꢀV

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀLogicꢀLevel

•ꢀEnhancementꢀmode

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Drain

tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Gate

Pin 1

Parameter

Value

Unit

Source

Pin 3

V_DS

-60

R_DS(on),max

I_D

mΩ

-100

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB110P06LM

PG-TO 263-3

110P06LM

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2019-04-01

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与IPB110P06LM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB114N03LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPB117N20NFD	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB117N20NFDATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB11N03LA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB11N03LAG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB120N03S4L-03	INFINEON	获取价格	车规级MOSFET
IPB120N03S4L03ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB120N04S3-02	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPB120N04S4-01	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB120N04S4-02	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor