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IPB108N15N3G

更新时间： 2024-01-09 12:49:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体栅极晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	434K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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IPB108N15N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	雪崩能效等级（Eas）：	330 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	83 A
最大漏极电流 (ID)：	83 A	最大漏源导通电阻：	0.0108 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	214 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB108N15N3G 数据手册

IPB108N15N3 G IPP111N15N3 G

IPI111N15N3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

150

10.8

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO263)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

•Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB108N15N3 G

IPP111N15N3 G

IPI111N15N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

108N15N

PG-TO220-3

111N15N

PG-TO262-3

111N15N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

332

I _D=83 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

330

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

214

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾See figure 3

Rev. 2.1

page 1

2009-12-01

12 3 4 5 6 7...11

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IPB108N15N3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP111N15N3G	INFINEON	完全替代	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPP200N15N3G	INFINEON	功能相似	OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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