Datasheet > IPB108N15N3G

IPB108N15N3G

更新时间： 2024-11-20 05:39:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体栅极晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	434K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPB108N15N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	雪崩能效等级（Eas）：	330 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	83 A
最大漏极电流 (ID)：	83 A	最大漏源导通电阻：	0.0108 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	214 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB108N15N3G 数据手册

IPB108N15N3 G IPP111N15N3 G

IPI111N15N3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

150

10.8

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO263)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

•Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB108N15N3 G

IPP111N15N3 G

IPI111N15N3 G

Package

Marking

PG-TO263-3

108N15N

PG-TO220-3

111N15N

PG-TO262-3

111N15N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

332

I _D=83 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

330

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

214

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾See figure 3

Rev. 2.1

page 1

2009-12-01

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

IPB108N15N3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP111N15N3G	INFINEON	完全替代	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
IPP200N15N3G	INFINEON	功能相似	OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent

与IPB108N15N3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB108N15N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB10N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS Buck converter series
IPB10N03LB	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB110N06LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB110N20N3LF	INFINEON	获取价格	OptiMOS™线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R
IPB110P06LM	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPB114N03LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPB117N20NFD	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB117N20NFDATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB11N03LA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPB108N15N3G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB108N15N3G

IPB108N15N3G 技术参数

IPB108N15N3G 数据手册

IPB108N15N3G 替代型号

与IPB108N15N3G相关器件

与IPB108N15N3G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPB108N15N3G

IPB108N15N3G 技术参数

IPB108N15N3G 数据手册

IPB108N15N3G 替代型号

与IPB108N15N3G相关器件

与IPB108N15N3G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？