是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.81 |
其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 450 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 100 A |
最大漏极电流 (ID): | 100 A | 最大漏源导通电阻: | 0.004 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 200 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB107N20N3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流- | |
IPB107N20N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | |
IPB107N20N3G_10 | INFINEON |
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OptiMOS 3 Power-Transistor | |
IPB107N20NA | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流- | |
IPB107N20NAATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB108N15N3 G | INFINEON |
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与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F | |
IPB108N15N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | |
IPB108N15N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 150V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB10N03L | INFINEON |
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OptiMOS Buck converter series | |
IPB10N03LB | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |