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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 690 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0043 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB100N06S3L-04 | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB100N06S3-04 | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB100N06S3-03 | INFINEON |
类似代替 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB100N06S3L-03_07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB100N06S3L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB100N08S2-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB100N08S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPB100N10S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB100N10S305ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IPB100N12S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPB100N12S305ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IPB100P03P3L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P Trench Power-Transistor |
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| IPB107N20N3 G | INFINEON |
获取价格 |
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