是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.63 |
雪崩能效等级(Eas): | 1445 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 100 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0048 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPB100N10S3-05 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB100N12S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor | |
IPB100N12S305ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
IPB100P03P3L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P Trench Power-Transistor | |
IPB107N20N3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流- | |
IPB107N20N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | |
IPB107N20N3G_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 3 Power-Transistor | |
IPB107N20NA | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流- | |
IPB107N20NAATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB108N15N3 G | INFINEON |
获取价格 |
与次优竞品相比,150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%,品质因数 (F | |
IPB108N15N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |