5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.66 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1445 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0048 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPB05CN10NG | INFINEON |
完全替代  |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPB100N10S305ATMA1 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB100N10S305ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IPB100N12S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IPB100N12S305ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IPB100P03P3L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P Trench Power-Transistor |
|
| IPB107N20N3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
|
| IPB107N20N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
|
| IPB107N20N3G_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 3 Power-Transistor |
|
| IPB107N20NA | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
|
| IPB107N20NAATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 200V, 0.0107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPB108N15N3 G | INFINEON |
获取价格 |
与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (F |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
