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IPB100N04S204ATMA4

更新时间： 2024-11-24 21:15:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	155K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB100N04S204ATMA4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	1.74
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	810 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB100N04S204ATMA4 数据手册

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IPB100N04S2-04

IPP100N04S2-04

OptiMOS^®Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

3.3

100

• N-channel - Enhancement mode

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (lead free)

• Ultra low Rds(on)

I _D

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Ordering Code Marking

IPB100N04S2-04

IPP100N04S2-04

PG-TO263-3-2

PG-TO220-3-1

SP0002-19061

SP0002-19056

PN0404

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

Continuous drain current¹⁾

I _D

T _C=25 °C, V_GS=10 V

T _C=100 °C,

100

_GS=10 V²⁾

Pulsed drain current²⁾

Avalanche energy, single pulse²⁾

Gate source voltage⁴⁾

I _D,pulse

E_AS

T _C=25 °C

I _D=80A

400

810

V_GS

±20

P_tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.0

page 1

2006-03-02

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB100N04S2L-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N04S3-03	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPB100N04S4-H2	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB100N04S4H2ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB100N06S2-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB100N06S205ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB100N06S205ATMA4	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB100N06S2L-05	INFINEON	获取价格	OptiMOS Power-Transistor
IPB100N06S2L05ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB100N06S2L05ATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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