是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 10 weeks | 风险等级: | 5.7 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 810 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (ID): | 100 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0056 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPB100N06S2L05ATMA1 | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB80N06S2L05ATMA1 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB100N06S3-03 | INFINEON |
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OptiMOS㈢-T Power-Transistor | |
IPB100N06S3-03_07 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB100N06S3-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPB100N06S3L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor | |
IPB100N06S3L-03_07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB100N06S3L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPB100N08S2-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB100N08S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPB100N10S3-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPB100N10S305ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |